PHKD3NQ10T


Купить PHKD3NQ10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PHKD3NQ10T
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PHKD3NQ10T (PHILIPS.) 1 301 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHKD3NQ10T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchMOS™
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds633pF @ 20V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход