PHKD3NQ10T

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHKD3NQ10T (PHILIPS.)	1 301	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHKD3NQ10T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	633pF @ 20V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.