PHN210

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHN210 (PHILIPS.)	13 018	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHN210

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	250pF @ 20V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.