PHW80NQ10T


N-канальный trenchmos™ транзистор

Купить PHW80NQ10T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PHW80NQ10T
Версия для печати

Технические характеристики PHW80NQ10T

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C80A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs109nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds4720pF @ 25V
Power - Max263W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHW80NQ10T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHW80NQ10T datasheet
96.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход