PSMN030-150B


N-канальный trenchmos™ транзистор

Купить PSMN030-150B ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PSMN030-150B
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PSMN030-150B (PHILIPS.) 204 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN030-150B

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55.5A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3680pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN030-150B (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PSMN030-150B datasheet
103.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход