PSMN057-200B
N-канальный trenchmos транзистор
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 39A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3750pF @ 25V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN057-200B (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel Trenchmos Transistor
Производитель:
|
