|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
|
|
65.24
|
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT137-600 |
|
Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
DB103S |
|
|
DC COMPONENTS
|
532
|
25.50
|
|
|
|
DB103S |
|
|
|
|
30.16
|
|
|
|
DB103S |
|
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
40
|
214.20
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
|
592
|
142.61
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
1
|
|
|
|
|
|
YC164-JR-07100RL |
|
Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)
|
YAGEO
|
53 612
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
YC164-JR-07100RL |
|
Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)
|
|
|
1.60
|
|
|
|
YC164-JR-07100RL |
|
Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)
|
YAGEO
|
7 272
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
560
|
19.25
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
976
|
24.00
|
|