| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 200V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 6A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
1 673
|
56.70
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 526
|
63.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
203
|
76.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YJ
|
17 695
|
1.44
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
|
1
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
24.57
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
|
|
13.00
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
HOTTECH
|
416 271
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
YOUTAI
|
72 331
|
3.12
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
|
1 163
|
209.76
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
ТЭЗ
|
346
|
173.88
|
|
Версия для печати
