![]() |
Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
Тип выхода | Transistor |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Current - DC Forward (If) | 60mA |
Ток выходной / канал | 50mA |
Напряжение выходное | 70V |
Current Transfer Ratio (Max) | 200% @ 10mA |
Current Transfer Ratio (Min) | 34% @ 1mA |
Voltage - Isolation | 5300Vrms |
Количество каналов | 1 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип входа | DC |
Тип монтажа | Поверхностный |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
10МКФ 16В (4X5) 105°С |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ, 16В |
![]() |
13.60 | ||||
2SK2382 | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|||||
2SK2382 |
![]() |
![]() |
||||||
2SK2382 | TOS |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
![]() |
130.36 | ||
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
BUZ80A |
![]() |
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MMBD352WT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
![]() |
|
Корзина
|