SI4368DY-T1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8340pF @ 15V |
| Power - Max | 1.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SI4368DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET Также в этом файле: Si4368DY-T1-E3
Производитель:
|
