Версия для печати
Технические характеристики SI4800

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.8nC @ 5V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

SI4800 (Полевые N-канальные транзисторы) N-channel Enhancement Mode Field-effect Transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com SI4800 datasheet 237.62Kb 13стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	MAXIM
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C			180.00
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS INSTRUMENTS
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS INSTRUMENTS	12
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS
		MAX3232CSE-T			MAXIM
		MAX3232CSE-T
		MAX3232CSE-T			MAXIM	8
		MAX8725ETI			MAXIM
		MAX8725ETI					273.00
		SI4336DY-T1			SILICONIX
		SI4336DY-T1			VISHAY
		SI4336DY-T1					542.00
		SI4336DY-T1			SILICONIX	15
		U2270B-MFPY		Read / Write Base Station IC	ATMEL
		U2270B-MFPY		Read / Write Base Station IC			422.48
		U2270B-MFPY		Read / Write Base Station IC	ATMEL CORPORATION
		U2270B-MFPY		Read / Write Base Station IC	MICRO CHIP

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"