SI4920DY-T1
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
SI4920DY-T1 (SILICONIX.) |
794 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI4920DY-T1
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | H11AG1M Фототранзисторный оптрон Купить |
 | ADNS-2030 Высококачественный, малопотребляющий датчик оптической мыши, оптимизированный для беспроводных приложений Купить |
 | LM3S612 Высокопроизводительный микроконтроллер с архитектурой arm® cortex™-m3 v7m, оптимизированный для небольших встраиваемых приложений Купить |