SI6562DQ-T1


Купить SI6562DQ-T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI6562DQ-T1
Версия для печати

Технические характеристики SI6562DQ-T1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.5A, 3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
Power - Max1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус8-TSSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
М42301 500-0-500В
точность 1,5; 2,5; 60х60х50
816.00 руб Купить
KPT-2012SEC
Светодиод для поверхностного монтажа 2.0х1.25мморанжевый Сила света максимальная 200мКдДлина волны   601нМВидимый угол 120о Размер корпуса...
Купить
B65808-A2203

Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход