SI9933BDY-T1-E3
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SI9933BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Также в этом файле: SI9933BDY-T1-E3
Производитель:
|
 | SD-100C-12 DC/DC преобразователь Р В Р’В Р РЋР’ВВощностью 100 Р’С‚, РєРѕСЂРїСѓСЃ: Р В Р’В Р СћРІР‚ВВля Р В Р’В Р РЋР’ВВонтажа Р Р…Р В° шассРц2593.23 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
 | ICON 1100A РћРТвЂВВноканальный Р В Р’В Р РЋР’ВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВкропроцессорный управляющРСвЂВВР в„– блок Р РЋР С“ Р В Р’В Р РЋР’ВВногоязычныРѠРСвЂВВнтерфейсоРѠ(РІС‚.С‡. Р Р…Р В° СЂСѓСЃСЃРєРѕРѠязыке), СѓРєРѕРСВВВплектованный Р В Р’В Р РЋР’ВВалогабарРСвЂВВтныРѠсуперРСВВВощныРѠпая... 88760.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
 | MCP4131-104 7-Р В Р’В±Р В РЎвЂВВтный РѕРТвЂВВноканальный С†РСвЂВВфровой потенцРСвЂВВРѕРСВВВетр Р РЋР С“ Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВнтерфейсоРѠspi РљСѓРїРСвЂВВть |
