SN74ALS03BD
|
|
Версия для печати
| Корпус | 14-SOIC |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Ток выходной макс., мин. | 8mA, 8mA |
| Число каналов | 4 |
| Число входов | 2 |
| Логический тип | NAND Gate |
| Серия | 74ALS |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SN74ALS03B (Буферы 2-State) QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS Также в этом файле: SN74ALS03BD
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5KE130CARL4 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| 1.5KE130CARL4 | MOTOROLA |
|
|
|||||
 |
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | DC COMPONENTS | 440 016 | 2.21 | ||||
|
|
GS1G | 7 920 | 1.36 | |||||
|
|
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||||
|
|
GS1G | OTHER |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | MICROSEMI CORP |
|
|
||||
|
|
GS1G | YT |
|
|
||||
|
|
GS1G | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
GS1G | YANGJIE | 20 000 | 1.32 | ||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| UCC2894DR |
|
292.00 | ||||||
| UCC2894DR | Texas Instruments |
|
|
