SPU09P06PL

Версия для печати

Технические характеристики SPU09P06PL

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 25V
Power - Max	42W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	PG-TO251-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPD09P06PL (Полевые МОП транзисторы)

Sipmos Power-transistor

Также в этом файле: SPU09P06PL

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPU09P06PL datasheet
232.22Kb
8стр.