STS2DNF30L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS2DNF30L		188.00

Версия для печати

Технические характеристики STS2DNF30L

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	121pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STS2DNF30L (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Power Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STS2DNF30L datasheet
270.45Kb
8стр.