Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
Power - Max | 2W |
Frequency - Transition | 3MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220 |
Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
КТ819А | 353 | 64.75 | ||||||
КТ819А | КРЕМНИЙ | 80 | 86.70 | |||||
КТ819А | МИНСК | |||||||
КТ819А | БРЯНСК | |||||||
КТ819А | УЛЬЯНОВСК | |||||||
КТ819А | ИНТЕГРАЛ | |||||||
КТ819А | ТРАНЗИСТОР | 283 | 40.57 | |||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | 324 | 70.00 | |||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | КРЕМНИЙ | 80 | 86.70 | ||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | БРЯНСК | ||||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | МИНСК | ||||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | УЛЬЯНОВСК | ||||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | ИНТЕГРАЛ | ||||||
КТ819Б | Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ... | РОССИЯ |
|