TPSD107M016S0125

Версия для печати

Технические характеристики TPSD107M016S0125

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	100 мкФ
Серия	TPS
Корпус (размер)	7343-31
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
ESR (Equivalent Series Resistance)	125.0 mOhm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Высота	0.122" (3.10mm)
Manufacturer Size Code	D
Возможности	General Purpose

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
INA168NA/250	ИМС датчика тока			350.00
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MUR	8 000	9.74
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FAI/QTC
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS	4 720	10.82
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A		16 000	3.83
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR	15 802
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTO
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS-FAIR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMI
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FUXIN	33 954	1.33
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		SUNTAN
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		КИТАЙ
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V			40	5.87
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEN
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEGSON ELECTRONICS
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		КИТАЙ