UMX1NTN
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Power - Max | 150mW |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | UMT6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0805-4.70K 5% |
|
ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 4.7кОм, 5%, 0,125Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| HIP4082IBZT | INTERSIL |
|
|
|||||
| HIP4082IBZT |
|
400.00 | ||||||
| HIP4082IBZT | INTERSIL |
|
|
|||||
| HIP4082IBZT | RENESAS |
|
|
|||||
|
|
PRF957 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
PRF957 | NXP |
|
|
||||
|
|
PRF957 |
|
38.40 | |||||
|
|
PRF957 | PHILIPS |
|
|
||||
| PRF957.115 | NXP |
|
|
|||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
