|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Power - Max | 150mW |
Frequency - Transition | 180MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Корпус | UMT6 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0402-5.1K 5% | ЧИП — резистор 5.1кОм, 5%, 0.062 | FAITHFUL LINK | ||||||
0402-5.1K 5% | ЧИП — резистор 5.1кОм, 5%, 0.062 | 699 | 2.80 | |||||
0603-5.6К 5% | ЧИП — резистор | FAITHFUL LINK | ||||||
0603-5.6К 5% | ЧИП — резистор | 427 |
1.52 >100 шт. 0.76 |
|||||
0805-2.4 5% | ЧИП — резистор | 656 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||||
0805-4.70K 1% | ЧИП — резистор 4,7кОм, 1% | 1.24 | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | |||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|