UNR911FJ0L


UNR911FJ0L (заказ)
UNR911FJ0L

Технические характеристики UNR911FJ0L

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition80MHz
Power - Max125mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SS Mini3-F1 (SC 89)
КорпусSSMini3-F1
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru