Версия для печати
Технические характеристики STP4NK60Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP4NK60Z (MOSFET) N-channel 600 V - 1.76 ? - 4 A SuperMESH™ Power MOSFET TO-220 Производитель: STMicroelectronics STP4NK60Z datasheet 577.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	NXP
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	PHILIPS
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MOTOROLA
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	FAIR
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DIC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DIOTEC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DC COMPONENTS	11 356	3.81
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MOTOROLA
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	PHILIPS	88
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MCC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	КИТАЙ
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ON SEMIC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ONS
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	FSC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...		9	12.00
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	HOTTECH
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	SEMTECH	16	3.42
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	KLS	3 260	2.50
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	LGE
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	1
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	FAIR
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS			144.00
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	JOYVIRT
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	PMC
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST1
		J505			SILICONIX
		J505					176.40
		J505					176.40
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 980	48.26
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"