Версия для печати
Технические характеристики IPP60R299CP

FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 100V
Power - Max	96W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

IPP60R299CP CoolMOS Power Transistor Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com IPP60R299CP datasheet 334.49Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц		118	910.00
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	МИНСК
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	456
		2Т3117А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц	АЛЬФА РИГА
		2Т630Б				63	714.00
		2Т630Б			БРЯНСК
		2Т630Б			ГРАВИТОН
		2Т630Б			КРЕМНИЙ	382	691.60
		2Т630Б			ЭКСПОРТ
		2Т630Б			RUS
		2Т630Б			КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	5 153	3.78
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	SMK
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	SEMICRON
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	DIOTEC
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)		2 052	1.56
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	MASTER INSTRUMENT CO
		SM4001		Выпрямительный диод smd (Vr=50V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)	SEMICRON
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 796	12.25
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 950	14.66
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	3 535	12.00
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 340	8.48
		МД217				1 236	12.24
		МД217			ТОМИЛИНО	58	16.00
		МД217			СЗТП	26	81.60
		МД217			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"