Версия для печати
Технические характеристики BC860B

Корпус	TO-236AB
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BC856AW (Биполярные PNP транзисторы) PNP Silicon AF Transistors Также в этом файле: BC860BW Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC860B datasheet 276.4Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805 0,1МКФ Y5V 50В		Керамический многослойный изолированный конденсатор 0805, 0,1МКФ, Y5V, 50В
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.27
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	8 976	1.69
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	2.24
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	8 450	2.05
		BAS32L		Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450		111	6.00
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIR
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	PHILIPS
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	NXP
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	DIOTEC
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	NXP	1 877
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	PHILIPS
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	SUNTAN
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	SEMTECH	224	2.12
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	DC COMPONENTS	289	13.06
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)		2 469	3.72
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	RECTRON
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	КИТАЙ
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	KINGTRONICS
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	YJ	4 782	6.05
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	YANGJIE
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	YANGJIE (YJ)
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	HOTTECH
		DB104S		Диодный мост SMD 1A 250V(RMS)	LRC
		ВП2Б-1 0.5А (АНАЛОГ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"