|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
60
|
2.78
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
40 288
|
1.19
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
4 438
|
5.28
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
184 505
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
61 600
|
3.94
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.44
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 406 455
|
1.31
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 631
|
1.60
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
548 764
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
10
|
51.60
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
332
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
568
|
35.42
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
|
|
70.00
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
81
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LD1117S50CTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
16.92
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
|
69.32
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
517
|
279.53
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
1 196
|
202.98
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|