| Корпус (размер) | 100-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b; D/A 2x12b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 64K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 256KB (256K x 8) |
| Число вводов/выводов | 80 |
| Периферия | DMA, POR, PWM, Voltage Detect, WDT |
| Подключения | CAN, I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Скорость | 72MHz |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Серия | STM32 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
|
|
19.64
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
HOTTECH
|
50 360
|
6.98
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
SMCMICRO
|
1 625
|
6.20
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
|
10BQ060 |
|
Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)
|
LGE
|
4 471
|
7.57
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
|
|
20.96
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
JSCJ
|
1 504
|
100.04
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
2
|
136.82
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
|
32
|
49.57
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
57
|
29.04
|
|
|
|
|
LM2664M6/NOPB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
307
|
|
|
|
|
|
MC33063AVPG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC33063AVPG |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MC33063AVPG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MC33063AVPG |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33063AVPG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
389
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
147
|
315.45
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
|
491
|
248.74
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
668
|
|
|
Версия для печати
