|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
7 729
|
5.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
14 397
|
4.34
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
1 032
|
4.92
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 532
|
4.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
10 400
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
69 678
|
2.09
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.30
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.36
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
ADG444BN |
|
Четыре SPST (нормально замкнут.) ключа Vmax=44V
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG444BN |
|
Четыре SPST (нормально замкнут.) ключа Vmax=44V
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG444BN |
|
Четыре SPST (нормально замкнут.) ключа Vmax=44V
|
|
|
212.00
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
|
|
429.16
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
4 828
|
23.77
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
323
|
39.26
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
MICRO CHIP
|
44
|
295.20
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
|
|
392.00
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
Microchip Technology
|
|
|
|