|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V |
Power - Max | 1.8W |
Frequency - Transition | 5MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.022UF/50V X7R | ||||||||
0.22UF,Y5V,+80-20%(Z),0805,50V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
2N6491 | Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
2N6491 | Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ONS | ||||||
2N6491 | Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | |||||||
2N6491 | Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150 | ON SEMICONDUCTOR | 9 984 | |||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | BARONS | ||||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | BOURNS | ||||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | 20.80 | ||||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | Bourns Inc | ||||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | КИТАЙ | ||||||
3296X-1-503 | Подстроечный резистор 50K | BOCHEN | 2 916 | 11.68 | ||||
KNP 5W 0.2 1% | 31 | 31.49 | ||||||
KNP 5W 0.2 1% | YAGEO | |||||||
KNP 5W 0.2 1% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | |||||||
KNP 5W 0.2 1% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|