MURS120T3G


Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A

Купить MURS120T3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MURS120T3G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MURS120T3G (ON SEMICONDUCTOR.) 580 3-4 недели
Цена по запросу
MURS120T3G 8 080 10.20 
MURS120T3G (ONS) 1 816 72.82 
MURS120T3G (JSMICRO) 5 685 2.91 

Версия для печати

Технические характеристики MURS120T3G

Current - Reverse Leakage @ Vr2µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io)2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875mV @ 1A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AA, SMB
КорпусSMB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MURS120T3

Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers

Также в этом файле: MURS120T3G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MURS120T3G datasheet
83.91Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KB Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KINGBRIGHT Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...     Заказ радиодеталей 171.92 
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   KGB Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
CA56-12SRWA Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом     Заказ радиодеталей 260.00 
IRFB23N20D Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTOR 4 1.87 
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTOR 794 цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23     Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT5401LT1G Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTOR 140 1.60 
  MMBT5551LT1G     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTOR 5 108 цена радиодетали
  MMBT5551LT1G       320 1.05 
  MMBT5551LT1G     ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBT5551LT1G     SEMTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 266 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 5 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 1 389 12.71 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход