Версия для печати
Технические характеристики MB252

Diode Type	Single Phase
Current - DC Forward (If)	25A
Voltage - Peak Reverse (Max)	200V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	QC Terminal
Корпус (размер)	MB
Корпус	MB
Product Change Notification	End Of Life 10/June/2010

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	7 729	6.50
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	14 397	4.54
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	1 032	4.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 532	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		10 400	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	68 846	2.23
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.34
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.36
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		BZX55C12VO
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	DC COMPONENTS
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	FAIR
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	PHILIPS
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	SENSITRON
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	ST MICROELECTRONICS
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	VISHAY
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	БРЕСТ	63	1.60  >100 шт.   0.80
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	GALAXY
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	FAIRCHILD	17 713
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	OTHER	3 864
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	PHILIPS	24 700
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	SENSITRON
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	Fairchild Semiconductor
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	MCC
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт		24 189	1.25
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	КИТАЙ
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	KINGTRONICS
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	GALAXY ME
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	PANJIT
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	KLS
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	HOTTECH	4 000	2.95
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	SEMTECH	46	1.69
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	1
		BZX55C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	RUME	2 000	1.54  >100 шт.   0.77
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W			99.44
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	Vishay/Siliconix
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	ИНДОНЕЗИЯ
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY/IR
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	КИТАЙ
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	128	258.49
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	852	61.74
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO	1 000	56.34

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"