IRLR2905Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 110W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR2905Z (Мощные полевые МОП транзисторы) Automotive Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB631K | SANYO |
|
|
|||||
| 2SB631K |
|
70.00 | ||||||
| 2SB631K | SAN |
|
|
|||||
| 2SB631K | КИТАЙ |
|
|
|||||
 |
2SD600K | SANYO |
|
|
||||
|
|
2SD600K |
|
135.20 | |||||
|
|
2SD600K | SAN |
|
|
||||
 |
|
IRF7842TRPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRF7842TRPBF |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
IRF7842TRPBF |
|
INFINEON | 632 | 90.53 | ||
|
|
|
IRF7842TRPBF |
|
720 | 97.87 | |||
 |
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 79.05 | |
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | 1 304 | 21.80 | ||
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INFINEON |
|
|
|
| KDS-3 ON-OFF | 1 192 | 54.58 |
