SP8M3FU6TB


Купить SP8M3FU6TB по цене 196.56 руб.  (без НДС 20%)
SP8M3FU6TB  Структура   NP-канал Максимальное напряжение...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SP8M3FU6TB 7 196.56 

Структура NP-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ±30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ±20/18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 52/73
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики S,мА/В 3000
Корпус SO8

Версия для печати

Технические характеристики SP8M3FU6TB

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs51 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A, 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds230pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SP8M3FU6TB datasheet
126,98kB
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 800 11.34 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DC COMPONENTS 11 087 4.91 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DIOTEC 7 054 3.91 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)     5 600 1.22 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   --- Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NO TRADEMARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MULTICOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   HOTTECH 1 397 1.83 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   CHINA 9 600 1.25 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ZH Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   SANYO 4 143.64 
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт     1 127.26 
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   ISCSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SC5707 NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт   ISC 1 355 32.96 
    AF4502CSA       Заказ радиодеталей 800.00 
    AF4502CSA     ANACHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  S2055N     TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  S2055N       Заказ радиодеталей 216.40 
  S2055N     TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ПИЩ-6-1 - 12В       803 336.00 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход