|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
|
|
25.08
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
|
|
238.00
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
К78-2-250-2.2 10% |
|
Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
|
1
|
80.00
|
|
|
|
К78-2-250-2.2 10% |
|
Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
ПОЛИКОНД
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
|
3 049
|
4.72
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.26
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
8 075
|
11.00
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
132
|
30.62
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 736
|
36.00
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|