Версия для печати
Технические характеристики PIC18F13K50-I/SO

Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 11x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 5.5 V
Размер памяти	512 x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	8KB (4K x 16)
Число вводов/выводов	14
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, SPI, UART/USART, USB
Скорость	48MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® XLP™ 18F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	61 093	1.73
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	259 397	1.40
		1N4007			DIOTEC	77 582	2.91
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	261 205	1.43
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				182 275	1.88  >100 шт.   0.94
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	63 264	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4007			HOTTECH	167 799	1.97
		1N4007			KLS	4 720	2.95
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	9 600	1.58
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 517	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	78 596	1.94
		1N4007			TWGMC	69 152	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	125	2.28
		1N4007			ASEMI	16 341	1.16
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	109.20
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		1 180	26.18
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	44.95
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	71.40
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W		4	123.60
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МЕКСИКА
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INFINEON
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	1
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		7 110	18.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	1 672	16.10
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	7 978	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	1 597	16.00
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	91	13.77

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"