STP42N65M5
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | MDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4650pF @ 100V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220 |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQP200JB-4R7 | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP200JB-4R7 |
|
|
||||||
| ППБ-50Г-50ВТ 68 ОМ |
|
|
||||||
| ППБ-50Г-50ВТ-3,3 КОМ-5% |
|
|
||||||
| ППБ-50Г13-50ВТ-150 ОМ-10% |
|
|
||||||
| ППБ-50Е-50ВТ 6.8 ОМ 10% |
|
|
