NTMD6N03R2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTMD6N03R2G		66.00

Версия для печати

Технические характеристики NTMD6N03R2G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	950pF @ 24V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Wire Change 20/Aug/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.