|
Корпус | 8-SOICN |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Ток выходной | 100mA |
Число регуляторов | 1 |
Напряжение - падение (Typ.) | 0.16V @ 100mA |
Напряжение входное | Up to 40V |
Напряжение выходное | 2.7 V ~ 29.5 V |
Топология регулятора | Positive Adjustable |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HEF4015BT | Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER | PHILIPS | ||||||
HEF4015BT | Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER | NXP | ||||||
HEF4015BT | Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER | 313.84 | ||||||
HEF4015BT | Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER | NEXPERIA | 846 | |||||
HEF4015BT | Стандартная логика DUAL 4-BIT STATIC SHIFT REGISTER | NEXPERIA | ||||||
LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
LT455HW | 328 | 49.28 | ||||||
КТ 645 А | RUS | |||||||
КТ 646 А | RUS | |||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 49 | 19.20 | |||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 283 | 48.45 | ||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | ||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS | ||||||
КТ646Б | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 51 | 46.25 |
|