FGH50N6S2D
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Power - Max | 463W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247 |
| Product Change Notification | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FGH50N6S2 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT Также в этом файле: FGH50N6S2D
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet |
|
865.20 | ||
|
|
|
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQA8N100C |
|
1000v n-channel mosfet | ONS |
|
|
|
 |
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | FAIR |
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | FSC |
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- |
|
2 400.00 | ||
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
HGTG27N120BN |
|
72A/1200В N- | ONS |
|
|
|
|
|
ISL9R30120G2 | FAIR |
|
|
||||
|
|
ISL9R30120G2 | ITL/HAR |
|
|
||||
|
|
ISL9R30120G2 |
|
1 320.00 | |||||
|
|
ISL9R30120G2 | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
ISL9R30120G2 | FAIRCHILD |
|
|
