MCR22-8G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Voltage - Off State | 600V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 1.5A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
| Current - Off State (Max) | 10µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 15A @ 60Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 110°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | 704 | 71.04 | |||
|
|
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | STMicroelectronics |
|
|
||
 |
|
IRG4BC30F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
165.68 | ||
|
|
|
IRG4BC30F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
| NP0 62PF 5% 50V | SUNTAN |
|
|
|||||
| К1182ПМ1Р1 | СИТ |
|
|
|||||
| К1182ПМ1Р1 |
|
|
||||||
| К1182ПМ1Р1 | НТЦ СИТ |
|
|
|||||
| К1182ПМ1Р1 | БРЯНСК | 388 | 150.00 | |||||
| К1182ПМ1Р1 | КРЕМНИЙ | 80 | 147.90 | |||||
| МЛТ-0,125-560 КОМ-5% | 25 662 | 5.28 |
