Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PIC® 18F |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 40MHz |
Подключения | CAN, I²C, SPI, UART/USART |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, HLVD, POR, PWM, WDT |
Число вводов/выводов | 25 |
Размер программируемой памяти | 16KB (8K x 16) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Размер памяти | 768 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4.2 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 8x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
631
|
1.62
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
5 142
|
2.01
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 600
|
1.31
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
38 248
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
34 936
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
38 400
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
283 831
|
1.31
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
164 519
|
1.32
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
62 292
|
1.34
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
1 172
|
6.00
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
|
7 928
|
2.80
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
-
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
КИТАЙ
|
1 600
|
5.00
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
HOTTECH
|
22 419
|
5.29
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
DIOTEC
|
6 440
|
5.30
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YJ
|
69 387
|
5.24
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YIXING
|
11 200
|
3.66
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
JSCJ
|
7 200
|
4.07
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KOME
|
875
|
5.00
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84-C18.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 18V
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
205 768
|
0.80
>1000 шт. 0.16
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K01L |
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
527 676
|
0.80
>1000 шт. 0.16
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
|
|
2.96
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
162 962
|
|
|