|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
|
4
|
13.64
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
PHILIPS
|
800
|
9.69
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
|
|
6.16
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
DC COMPONENTS
|
18 149
|
1.79
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
OTHER
|
12
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
США
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC327-25 |
|
Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
|
|
58.20
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4503BE |
|
Шесть буферов с 3 сост.выхода (4 + 2)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
AUK
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
|
266
|
73.95
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
NXU
|
264
|
52.15
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
8 072
|
34.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|