|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ONS
|
170 747
|
3.41
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
MPN
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
|
95 276
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC846BLT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL/HAR
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
8
|
98.28
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
ITL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
|
1
|
166.50
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
RENESAS
|
349
|
121.75
|
|
|
|
CA3140EZ |
|
Операционный усилитель х1 Высокое R входа: Iвх=10пА, Iпотр=4мА, f=4.5МГц, SR=9В/мкС, t ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
9
|
54.18
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
332
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
636 801
|
3.50
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
33 428
|
3.82
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
7 163
|
4.38
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
547
|
3.88
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
976
|
264.34
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
1 112
|
176.98
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|