CSD16301Q2

Версия для печати

Технические характеристики CSD16301Q2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 4A, 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	340pF @ 12.5V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SMD, Flat Leads
Корпус	6-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16301Q2 (MOSFET)

N-канальный силовой MOSFET NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD16301Q2 datasheet
172.7 Кб