Версия для печати
Технические характеристики ICE3BS02

Корпус	P-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	900mW
Напряжение выходное	500V
Напряжение входное	8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон	61 ~ 73kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	CoolSET®F3
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	APEC
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор			284.80
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	КИТАЙ
		AP4525GEH		Сдвоенный P и N-канальный транзистор	ADVANCED POWER
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	SGC
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания			316.00
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
		THX203H		Контроллер питания		68	115.20
		THX203H		Контроллер питания	UNKNOWN
		THX203H		Контроллер питания	КИТАЙ
		THX203H		Контроллер питания	THX
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М					30.76
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М			ПОЛЬША
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 БЕЛ. 0.5М			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"