PHU101NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHU101NQ03LT (NXP.)	2 142	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHU101NQ03LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	166W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHU101NQ03LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PHU101NQ03LT datasheet
92 Кб