CSD16323Q3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CSD16323Q3		368.00
CSD16323Q3 (TEXAS INSTRUMENTS.)	100	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики CSD16323Q3

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS compliant by exemption
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 24A, 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 12.5V
Power - Max	3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16323Q3 (MOSFET)

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD16323Q3 datasheet
435.7 Кб