|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
1
|
2.51
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DIOTEC
|
37 876
|
56.43
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
12 000
|
1.58
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
HOTTECH
|
155 950
|
3.22
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
LGE
|
12 120
|
2.95
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMTECH
|
16
|
3.26
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
97
|
5.64
|
|
|
|
BAV103,115 |
|
|
NEX-NXP
|
31
|
7.87
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
NXP
|
80
|
56.10
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
|
4
|
26.40
|
|
|
|
HEF4011BP |
|
Quad 2Inp NAND Gate
|
NEX
|
|
|
|
|
|
TDA2005 |
|
УHЧ 2х10W (14V/2 Ом), 18W BTL (14V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2005 |
|
УHЧ 2х10W (14V/2 Ом), 18W BTL (14V/4 Ом)
|
|
21
|
144.00
|
|
|
|
TDA2005 |
|
УHЧ 2х10W (14V/2 Ом), 18W BTL (14V/4 Ом)
|
ОРБИТА
|
26
|
102.00
|
|
|
|
TDA2005 |
|
УHЧ 2х10W (14V/2 Ом), 18W BTL (14V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|