|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
644
|
84.00
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
|
286
|
51.52
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
IR2161 |
|
Контроллер источников питания для галогеновых ламп
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
INFINEON
|
2 344
|
51.55
|
|
|
|
IRF3710PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A
|
|
1 060
|
39.66
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
41 721
|
4.36
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
47 936
|
2.03
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.49
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
42 376
|
5.01
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
DC COMPONENTS
|
83 526
|
2.54
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YJ
|
301 125
|
1.74
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
|
41 694
|
1.05
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS
|
5 480
|
13.21
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY ME
|
3 129
|
5.66
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
HOTTECH
|
117 779
|
1.29
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE
|
16 000
|
1 746.36
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JSCJ
|
148
|
3.19
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
1
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MDD
|
62 568
|
1.06
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TRR
|
352 000
|
850.50
|
|