BZV55-C6V8
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 4V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BZV55 (Стабилитроны) Zener Diodes Также в этом файле: BZV55-C6V8, BZV55-C6V8
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSH201.215 | NXP | 133 | 20.00 | |||||
| BSH201.215 |
|
|
||||||
| BSH201.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
 |
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор |
|
18.40 | |||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ON SEMIC |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
MMBF170LT1G |
|
Транзистор | VBSEMI | 6 942 | 5.12 | ||
 |
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | 84 | 56.32 | ||
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | ФОТОН | 210 | 56.00 | |
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | СЗТП |
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО | 8 | 265.20 | |
| КТ230А9 | КРЕМНИЙ | 840 | 13.77 | |||||
| КТ230А9 | БРЯНСК | 8 668 | 2.00 | |||||
| КТ230А9 |
|
|
||||||
| КТ233А9 | КРЕМНИЙ | 800 | 13.77 | |||||
| КТ233А9 | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КТ233А9 |
|
|
