|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
30
|
1.60
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
676
|
4.92
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
15 362
|
2.46
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
16
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
29 822
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
331 204
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
169 865
|
1.24
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP
|
44
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4011BT |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
13.76
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
87 084
|
6.89
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
21 779
|
8.75
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
6 592
|
3.48
|
|
|
|
IRLML6302 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
23 968
|
4.22
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
|
2 400
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
США
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YJ
|
382 964
|
1.96
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SHIKUES
|
26 888
|
1.10
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
JSCJ
|
17 321
|
2.56
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
CJE
|
172
|
1.26
|
|
|
|
MBR0520 |
|
Диод Шоттки 20В, 0.5А
|
SUNTAN
|
24 533
|
2.82
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
|
711
|
132.62
|
|
|
|
MCP73812T-420I/OT |
|
Контроллер заряда батареи Li-Ion, Li-Polymer, вход: 5 В, выход: 4.2 В, 50 - 500 мА
|
Microchip Technology
|
|
|
|