IRF7343TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF7343TRPBF (INFINEON)	1 120	84.62
IRF7343TRPBF	9 600	42.84
IRF7343TRPBF (VBSEMI)	6	67.90

Версия для печати

Технические характеристики IRF7343TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.